目前，磁性存儲器基于一種名叫“自旋轉(zhuǎn)移矩”(STT)效應的技術(shù)，磁性材料它除了利用電子的電荷之外，還利用它們所具有的磁性即自旋特性。STT技術(shù)利用電流移動電子把數(shù)據(jù)寫入存儲器。不過盡管STT技術(shù)在許多方面優(yōu)于其他存儲技術(shù)，但它基于電流的寫入機制仍然需要一定電量，這意味著它在寫入數(shù)據(jù)時會產(chǎn)生熱量。此外，其存儲容量取決于每一位數(shù)據(jù)所占據(jù)的物理空間，而這一過程又受到信息寫入所需的電流強度的限制。于是，磁性材料較低的數(shù)位容量會轉(zhuǎn)化成相對較高的單位數(shù)據(jù)存儲成本，從而限制了STT技術(shù)的應用范圍。
　　UCLA的研究小組利用M eRAM，教學磁鐵以電壓取代STT技術(shù)中的電流，把數(shù)據(jù)寫入存儲器。這排除了通過導線移動大量電子的必要性，而是利用電壓即電勢差進行磁性數(shù)位的轉(zhuǎn)換，從而把信息寫入存儲器。這使計算機存儲器產(chǎn)生的熱量大大減少，使能源效率提高了10到1000倍。此外存儲器的存儲密度也可以提高4倍，即在同樣的物理區(qū)域內(nèi)可以存儲更多數(shù)據(jù)，從而也能降低單位數(shù)據(jù)的存儲成本。